[发明专利]生产单晶硅的方法有效
| 申请号： | 200610149906.5 | 申请日： | 2003-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1995486A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 赵铉鼎;李洪雨;郑镇秀;金仙美 | 申请（专利权）人： | 希特隆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱梅;徐志明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用Czochralski法生产单晶硅锭的方法，该方法可提供具有非常均匀的平面质量的硅片，因而提高半导体装置的产量。本发明建议一种用Czochralski法生产单晶硅锭的方法，其中，当熔硅对流被分为核单元和外单元时，单晶硅锭在核单元水平方向最大宽度是熔硅表面半径的30－60％的条件下生长。在一个实施例中，单晶硅锭在核单元垂直方向最大深度等于或大于熔硅最大深度的50％的情况下生长。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 单晶硅 方法 | ||
【主权项】：
1、通过Czochralski法生产单晶硅锭的方法，其中，当熔硅的对流分布被分为核单元和外单元时，单晶硅锭在核单元水平方向的最大宽度是熔硅表面半径的30-60％的条件下生长。
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