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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]抛光垫及其制造方法-CN201380025329.7有效
发明人：安峰秀;张英俊;郑镇秀;李相穆;宋基天;金昇槿;徐章源;秋政璇;姜学受;孔庚杓 -专利权人： KPX化工有限公司;三星电子株式会社
申请日： 2013-02-12 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： B24D11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光垫的制造方法，所述方法通过混合抛光层形成用材料并经化学反应使该材料固化，所述方法包括通过采用物理法研磨有机材料以形成有机微粒的步骤；将上一步骤中形成的有机微粒与抛光层形成用材料混合的步骤；将能够控制孔尺寸的惰性气体、胶囊型发泡剂或化学发泡剂与上一步骤中获得的混合物混合以形成气孔的步骤；对上一步骤中获得的混合物进行凝胶化和固化以制得抛光层的步骤；和加工该抛光层以通过打开气孔而使孔分布在表面上的步骤。
抛光及其制造方法

[发明专利]生产单晶硅的方法-CN200610149906.5有效
发明人：赵铉鼎;李洪雨;郑镇秀;金仙美 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2003-12-23 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用Czochralski法生产单晶硅锭的方法，该方法可提供具有非常均匀的平面质量的硅片，因而提高半导体装置的产量。本发明建议一种用Czochralski法生产单晶硅锭的方法，其中，当熔硅对流被分为核单元和外单元时，单晶硅锭在核单元水平方向最大宽度是熔硅表面半径的30－60％的条件下生长。在一个实施例中，单晶硅锭在核单元垂直方向最大深度等于或大于熔硅最大深度的50％的情况下生长。
生产单晶硅方法

[发明专利]硅片和生产单晶硅的方法-CN200310123043.0有效
发明人：赵铉鼎;李洪雨;郑镇秀;金仙美 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2003-12-23 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用Czochralski法生产单晶硅锭的方法，该方法可提供具有非常均匀的平面质量的硅片，因而提高半导体装置的产率。本发明建议一种用Czochralski法生产单晶硅锭的方法，其中，当熔硅对流被分为一个核单元和一个外单元时，单晶硅锭在核单元水平方向最大宽度是熔硅表面半径的30－60％的条件下生长。在一个实施例中，单晶硅锭在核单元垂直方向最大深度等于或大于熔硅最大深度的50％的情况下生长。
硅片生产单晶硅方法

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