[发明专利]一种新型金属氧化物硅场效应晶体管栅极结构及其制备工艺有效
| 申请号： | 200610147712.1 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101005094A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 胡恒升 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型MOSFET栅极结构及其制备工艺，对整个晶体管的形成过程做了巨大的调整，提供了一组新的流程和工艺选择，并由此形成了新的器件结构，展示了新的器件控制机制，例如栅极控制区域与实际沟道长度有一定的偏差，同时放宽了对最小线宽尺寸的工艺能力要求，适合于深亚微米/纳米工艺。在制备工艺上通过增加一道光刻，刻蚀多晶硅形成凹陷结构，解决了形成硅化物过程中大家担心的桥联现象。栅极通过形成相对于传统工艺更宽的硅化物有效地降低了接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 金属 氧化物 场效应 晶体管 栅极 结构 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种新型MOSFET栅极结构，包括两侧对称的侧墙结构，由两或三层介质组成，所述侧墙可由介质二(7)、介质三(8)和LOCSAL(局部自对准硅化物用)氧化层(13)组成或介质二(7)与LOCSAL氧化层(13)组成，其特征在于：前者介质二(7)覆盖在介质三(8)的外面，介质三(8)与多晶硅(10)接触，LOCSAL氧化层(13)覆盖在介质二(7)外，介质二(7)覆盖在介质三(8)外；后者介质二(7)与多晶硅(10)接触；LOCSAL氧化层(13)覆盖在介质二(7)外面；侧墙结构横截面为上窄下宽的多边形形状。
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