[发明专利]III族氮化物半导体发光装置无效
| 申请号： | 200610146401.3 | 申请日： | 2006-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1967954A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 杉浦胜己 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/323;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种阈值电流低、且具有高的可靠性的III族氮化物半导体发光装置。本发明的III族氮化物半导体发光装置在活性层(5)和p型包层(9)之间具备：由AlxGa1－x－yInyN(0＜x＜1、0＜y＜1、x+y＜1)构成的中间层(7)；和与中间层(7)相接，且由电子亲和力比所述中间层小的p型III族氮化物半导体构成的电子阻挡层(8)。半导体发光装置既可以是激光装置，也可以是LED。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体发光装置，其中，具备：衬底；n型氮化物半导体层，其设于所述衬底上，由含有n型杂质的III族氮化物半导体构成，且具有n型包层；活性层，其设于所述n型氮化物半导体层上，带隙能量比所述n型包层小，且生成光；中间层，其设于所述活性层上或上方，且由AlxGa1-x-yInyN(0＜x＜1、0＜y＜1、x+y＜1)构成；电子阻挡层，其设于所述中间层上，且由电子亲和力比所述中间层小的p型III族氮化物半导体构成；p型氮化物半导体层，其设于所述电子阻挡层上，由含有p型杂质的III族氮化物半导体构成，且具有带隙能量比所述活性层大的p型包层。
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