[发明专利]集成电路及其制造方法

摘要

为了在高密度集成电路中减少对功率耗散的需求、获得全部潜在的晶体管性能以及避免功率耗散对晶体管性能的限制，晶体管在亚阈值(亚V_th)或亚V_th附近电压状况(通常约0.2伏，而不是约1.2伏或更高的超V_th状况)工作，并且为了这样的工作而进行优化，特别是通过简化晶体管结构进行优化，这是因为本征沟道电阻在亚V_th工作电压状况中是至关重要的。这样的简化包括源漏极区域从栅极的欠重叠或凹进，从而避免交叠电容，因此使得否则由于低电压工作而导致的切换速度损失得到部分恢复；具有500或更小厚度的超薄栅极结构的形成，从而简化了晶体管连接件的形成并避免在晶体管的源极、漏极和/或栅极中形成硅化或合金。

主权项

1、一种包括至少一个在亚阈值电压工作的场效应晶体管的集成电路，所述场效应晶体管包括：半导体材料层，栅极结构，结，所述结与所述栅极结构欠重叠或者从所述栅极结构凹进，所述结在所述半导体材料层中限定出源漏极区域，其中所述栅极结构以及所述源漏极区域基本上是由未合金化的半导体材料构成的。