[发明专利]非易失存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610143922.3 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1959998A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 浅野勇;泰勒·A·劳里 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 非易失存储元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的位线14以及包含相变材料并且连接在下电极12和位线14之间的记录层15。根据本发明，位线14与记录层15的初始生长表面15a接触。该结构可以通过在记录层15之前形成位线14来得到，得到三维结构。这样减小了记录层15和位线14之间的接触面积，减少了向位线14的热扩散而不增加记录层15的厚度。此外，利用该三维结构，在位线14和记录层15之间不存在上电极，降低了制造工艺的复杂性。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失存储元件，包括：下电极；设置在下电极上的位线；和包含相变材料、连接在下电极和位线之间的记录层，其中位线与记录层的初始生长表面接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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