[发明专利]连接结构体及连接结构体的制造方法无效
申请号: | 200610143304.9 | 申请日: | 2006-11-03 |
公开(公告)号: | CN101022098A | 公开(公告)日: | 2007-08-22 |
发明(设计)人: | 南尾匡纪;藤本博昭;水谷笃人;藤谷尚树;福田敏行 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/60;H01L21/607 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 能够以低成本进行Si和Al的可靠连接。连接结构体(1)是Si电极(Si构件)(40)和Al引线(Al构件)(20)的连接结构体。在Si电极(40)和Al引线(20)之间夹装有第一部分(2)、第二部分(4、4…)及第二部分(14、14…),第一部分(2)、第二部分(4、4…)及第二部分(14、14…)均与Si电极(40)相接,且与Al引线(20)相接。在第一部分(2)存在Si氧化物层(13)及Al氧化物层(23),Si氧化物层(13)与Si电极(40)相接,Al氧化物层(23)介于Si氧化物层(13)和Al引线(20)之间。在第二部分(4、4…)存在Al,在第二部分(14、14…)存在Si部(14a)及Al部(14b)。 | ||
搜索关键词: | 连接 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种连接结构体,其是由Si构成的Si构件和由Al构成的Al构件的连接结构体,其特征在于,在所述Si构件和所述Al构件之间夹装有第一部分及第二部分,该第一部分及该第二部分均与该Si构件相接并且也与该Al构件相接,在所述第一部分存在有Si氧化物层及Al氧化物层,该Si氧化物层与所述Si构件相接,该Al氧化物层介于该Si氧化物层和所述Al构件之间,在所述第二部分存在有Si及Al的至少一者。
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