[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 200610141488.5 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1941187A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 金东槿 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C11/4096;G11C11/413;G11C11/419;G11C11/4193;G11C11/4197 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王志森;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以减少数据写入时间的半导体存储器件。该半导体存储器件包含连接到一对位线的位线感测放大器。一对第一局部线通过第一开关单元连接到一对位线。一对第二局部线通过第二开关单元连接到一对第一局部线。写入驱动器通过全局线响应数据信号，使用正常驱动电压驱动第二局部线。写入驱动器在预定周期期间，使用具有电平高于正常驱动电压的过驱动电压驱动第二局部线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包含：连接到一对位线的位线感测放大器；通过第一开关单元连接到该对位线的一对第一局部线；通过第二开关单元连接到该对第一局部线的一对第二局部线；及通过全局线响应数据信号，使用正常驱动电压驱动第二局部线的写入驱动器，其中写入驱动器在预定周期期间，使用具有电平高于正常驱动电压的过驱动电压驱动第二局部线。
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