[发明专利]用于高速半导体存储器装置的延迟锁定环有效

专利信息
申请号: 200610141208.0 申请日: 2006-09-28
公开(公告)号: CN1945732A 公开(公告)日: 2007-04-11
发明(设计)人: 辛范柱 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C7/22 分类号: G11C7/22;G11C11/4076;G11C11/406
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邵亚丽;李晓舒
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种延迟锁定环,支持在半导体存储器装置中的操作频率的增加。在延迟锁定环中所使用的一种输出驱动器包括:第一驱动块,用以从所述延迟锁定环接收输出,以产生用以输出对应于一读取指令的读取数据的第一DLL时钟;以及第二驱动块,用以从所述延迟锁定环接收输出,以产生用以在写入操作期间减少电流消耗的第二DLL时钟,其中所述第一驱动块具有比所述第二驱动块大的延迟量。
搜索关键词: 用于 高速 半导体 存储器 装置 延迟 锁定
【主权项】:
1.一种用于延迟锁定环的输出驱动器,包括:第一驱动块,用以从所述延迟锁定环接收输出,以产生用以输出对应于一读取指令的读取数据的第一DLL时钟;以及第二驱动块,用以从所述延迟锁定环接收输出,以产生用以在写入操作期间减少电流消耗的第二DLL时钟,其中,所述第一驱动块具有比所述第二驱动块大的延迟量。
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