[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 200610140629.1 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154697A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 肖国伟;陈正豪 | 申请（专利权）人： | 香港微晶先进封装技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京明和龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郁玉成 |
| 地址： | 中国香港九龙*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，该芯片包括：形成于蓝宝石衬底的外延晶片，其N型区域和P型区域上均覆盖有金属电极层，该金属电极层包括透明金属层和反射层，在金属电极层上具有凸点下金属层和金属凸点；适于倒装焊的底板，该底板上具有金属线路层和形成于该金属线路层上的凸点；其中，N型区域尽可能包围P型区域，N型区域及其上覆盖的金属电极层保持连通，P型区域被N型区域及其金属电极层分隔成若干区域；所述的P型区域上的金属凸点均匀分布在所述被分隔成的若干区域中。本发明通过对器件电极的优化设计，改善了电流分布情况，从而提高器件的性能和寿命，此外，电极上的倒装焊结合点强度和器件的传热性能也都得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.发光二极管芯片，包括：形成于蓝宝石衬底的外延晶片，所述外延晶片包括N型区域和P型区域，在所述的N型区域和P型区域上均覆盖有金属电极层，在金属电极层上具有凸点下金属层和金属凸点；适于倒装焊的底板，所述底板上具有金属线路层和形成于该金属线路层上的凸点，与所述P形区域和N型区域上的金属凸点相对应；其特征在于，所述的N型区域尽可能包围P型区域，所述的N型区域及其上覆盖的金属电极层保持连通，P型区域被N型区域及其金属电极层分隔成若干区域；所述的P型区域上的金属凸点均匀分布在所述被分隔成的若干区域中。
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