[发明专利]磁存储器件以及向磁存储器件写入数据的方法无效
申请号: | 200610136108.9 | 申请日: | 2006-10-11 |
公开(公告)号: | CN101026176A | 公开(公告)日: | 2007-08-29 |
发明(设计)人: | 金泰完;黄仁俊;曹永真;金起园 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;G11C11/15 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了一种磁存储器件以及向所述磁存储器件写入数据的方法。所述磁存储器件包括:界定多个单位单元区域的多条字线和多条位线;设置于每一单位单元区域内的晶体管;以及磁隧道结(MTJ)元件,其与晶体管形成组合,并且具有MTJ单元以及位于所述MTJ单元的两侧的形成磁场的第一和第二焊盘层,其中,每一晶体管的漏极连接至对应的单元区域内的第一焊盘层,其源极连接至相邻的单位单元区域内的第二焊盘层,以及每一晶体管的栅极连接至对应的单位单元区域内的对应的字线,其漏极连接至对应的单位单元区域内的位线。 | ||
搜索关键词: | 磁存储器 以及 写入 数据 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁存储器件,包括:界定多个单位单元区域的多条字线和多条位线;设置于每一所述单位单元区域内的晶体管;以及磁隧道结元件,其与晶体管形成组合,并且具有磁隧道结单元以及位于所述磁隧道结单元的两侧的形成磁场的第一和第二焊盘层,其中,每一晶体管的漏极连接至对应的单元区域内的所述第一焊盘层,其源极连接至相邻的单位单元区域内的所述第二焊盘层,且每一晶体管的栅极连接至对应的单位单元区域内的对应的字线,其漏极连接至对应的单位单元区域内的位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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