[发明专利]磁存储器件以及向磁存储器件写入数据的方法无效

专利信息
申请号: 200610136108.9 申请日: 2006-10-11
公开(公告)号: CN101026176A 公开(公告)日: 2007-08-29
发明(设计)人: 金泰完;黄仁俊;曹永真;金起园 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/22 分类号: H01L27/22;G11C11/15
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种磁存储器件以及向所述磁存储器件写入数据的方法。所述磁存储器件包括:界定多个单位单元区域的多条字线和多条位线;设置于每一单位单元区域内的晶体管;以及磁隧道结(MTJ)元件,其与晶体管形成组合,并且具有MTJ单元以及位于所述MTJ单元的两侧的形成磁场的第一和第二焊盘层,其中,每一晶体管的漏极连接至对应的单元区域内的第一焊盘层,其源极连接至相邻的单位单元区域内的第二焊盘层,以及每一晶体管的栅极连接至对应的单位单元区域内的对应的字线,其漏极连接至对应的单位单元区域内的位线。
搜索关键词: 磁存储器 以及 写入 数据 方法
【主权项】:
1.一种磁存储器件,包括:界定多个单位单元区域的多条字线和多条位线;设置于每一所述单位单元区域内的晶体管;以及磁隧道结元件,其与晶体管形成组合,并且具有磁隧道结单元以及位于所述磁隧道结单元的两侧的形成磁场的第一和第二焊盘层,其中,每一晶体管的漏极连接至对应的单元区域内的所述第一焊盘层,其源极连接至相邻的单位单元区域内的所述第二焊盘层,且每一晶体管的栅极连接至对应的单位单元区域内的对应的字线,其漏极连接至对应的单位单元区域内的位线。
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