[发明专利]硅片的制造方法无效
| 申请号： | 200610135761.3 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1940150A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 泉妻宏治;平野由美子;渡边隆;鹿岛一日儿;齐藤广幸;仙田刚士 | 申请（专利权）人： | 东芝陶瓷株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;吴娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为了控制结晶层错区域、抑制退火处理时的滑移发生、并且可以合格率良好地制造高强度的高品质硅片，提供了一种硅片的制造方法，即通过直拉法，在氧浓度为0.9×1018原子/cm3以上、在距离晶片外周为20mm以内的区域中氧化诱导堆垛层错密度达最大的条件下，培育硅单晶，对所述硅单晶进行切片以制得晶片，使得所得晶片的原生层错密度在晶片的所有区域中为1×107/cm3以上。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片的制造方法，其特征在于：通过直拉法，在氧浓度为0.9×1018 原子/cm3以上、在距离晶片外周为20mm以内的区域中氧化诱导堆垛层错密度达最大的条件下，培育硅单晶，对所述硅单晶进行切片以制得晶片，所述晶片的原生层错密度在晶片的所有区域中为1×107/cm3以上。
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