[发明专利]用强流脉冲离子束对电子束物理气相沉积涂层的封顶技术无效
申请号: | 200610134323.5 | 申请日: | 2006-11-17 |
公开(公告)号: | CN1948549A | 公开(公告)日: | 2007-04-18 |
发明(设计)人: | 雷明凯;刘臣;信敬平;韩晓光;朱小鹏 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C23C14/58 | 分类号: | C23C14/58;H01J37/305;H01J37/317;C23C14/24;F01D5/28;F02F3/10 |
代理公司: | 大连星海专利事务所 | 代理人: | 修德金 |
地址: | 116024辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 材料表面改性领域中,用强流脉冲离子束对电子束物理气相沉积涂层的封顶技术,包括在耐高温的零部件基体1表面沉积金属粘结层2,陶瓷层3和建立陶瓷层表面的封顶层7,特征:在真空度0.8~1.1×10-2Pa条件下,采用束流密度为250~350A/cm2的强流脉冲离子束6于室温下辐照,在陶瓷层3表面形成要求厚度的连续封顶层7,从而封闭陶瓷层中作为氧扩散通道的柱状晶粒4之间的晶粒间隙5,再采用束流密度为50~100A/cm2的强流脉冲离子束焊合封顶层表面存在的微裂纹8。优点:工艺简单,采用较少次数辐照即可实现所要求厚度的连续致密封顶层;不会产生贯穿性宏观裂纹;封顶层表面光滑平整;封顶后的电子束物理气相沉积涂层抗氧化性能提高2倍以上。 | ||
搜索关键词: | 用强流 脉冲 离子束 电子束 物理 沉积 涂层 封顶 技术 | ||
【主权项】:
1.用强流脉冲离子束对电子束物理气相沉积涂层的封顶技术,包括在耐高温的零部件基体[1]上沉积金属粘结层[2],沉积陶瓷层[3]和建立陶瓷层表面的封顶层[7],其特征在于:对零部件陶瓷层中晶粒间隙[5]的封顶和对封顶层[7]中形成的微裂纹[8]的焊合,是在真空度0.8~1.1×10-2Pa的条件下,采用强流脉冲离子束[6]于室温下直接辐照的方式进行,其陶瓷层[3]表面封顶技术的工艺步骤是:第一步,将零部件安置在试样台上,抽真空将已沉积金属粘结层[2]和陶瓷层[3]的零部件,安置在强流脉冲离子束装置的试样台上,使零部件陶瓷层[3]完全暴露在强流脉冲离子束[6]辐照区内,关闭该装置的真空室并抽真空,使真空度达到0.8~1.1×10-2Pa;第二步,建立零部件陶瓷层表面的封顶层在室温条件下,采用脉冲宽度为60~70ns,束流密度为250~350A/cm2 的强流脉冲离子束[6]对零部件陶瓷层[3]辐照2~10次,形成1~5μm厚的连续封顶层[7];第三步,辐照焊合零部件陶瓷层表面形成的微裂纹用强流脉冲离子束[6]辐照焊合在零部件陶瓷层[3]表面产生的微裂纹[8],经第二步用强流脉冲离子束辐照零部件陶瓷层顶部,形成连续的封顶层后,在其表面存在宽度不超过0.2μm,深度不超过1μm的微裂纹,为了焊合这些微裂纹[8],当第二步结束后,在室温条件下,采用脉冲宽度为60~70ns,束流密度为50~100A/cm2的强流脉冲离子束[6],对带有微裂纹[8]的封顶层[7]辐照2~3次,形成连续致密的微米量级封顶层[7]。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610134323.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高功能抗体生物合成
- 下一篇:一种芯片验证的方法及系统
- 同类专利
- 专利分类