[发明专利]内存结构及其制备方法有效
| 申请号： | 200610127787.3 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101140934A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 简荣吾;萧家顺 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/522;H01L21/8242;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 薛平 |
| 地址： | 台湾省新竹市科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种内存结构包含半导体基板、设置于该半导体基板中的主动区、多个设置于该半导体基板中的掺杂区、电连接位线及该多个掺杂区之一的第一导电插塞以及电连接电容器及另一掺杂区的第二导电插塞。该第一导电插塞包含设置于该主动区域内的第一区块及设置于该主动区域的第一侧边的第二区块，且该位线连接该第一导电插塞的第二区块。该第二导电插塞包含设置于该主动区域内的第三区块及设置于该主动区域的第二侧边的第四区块，且该电容器连接于该第二导电插塞的第四区块。 | ||
| 搜索关键词： | 内存 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种内存结构，其特征是包含：基板；主动区域，设置于该基板之中；第一导电插塞，包含设置于该主动区域内的第一区块及设置于该主动区域的第一侧边的第二区块；以及第二导电插塞，包含设置于该主动区域内的第三区块及设置于该主动区域的第二侧边的第四区块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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