[发明专利]多芯片结构无效
申请号: | 200610121551.9 | 申请日: | 2006-08-22 |
公开(公告)号: | CN1913152A | 公开(公告)日: | 2007-02-14 |
发明(设计)人: | 许志行 | 申请(专利权)人: | 威盛电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/36;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种多芯片结构,其至少包括第一芯片、第二芯片与第一导热层。第一芯片具有第一表面及多个第一衬垫,这些第一衬垫配置于第一表面上。第二芯片具有第二表面及多个第二衬垫,这些第二衬垫配置于第二表面上,而第二表面朝向第一表面。第一导热层介于第一芯片及第二芯片之间,第一导热层具有导热区、多个第一电连接元件与多个第一介电区。第一电连接元件设于第一导热层内,且用于使第一表面电连接至第二表面。这些第一介电区围绕这些第一电连接元件,且这些第一电连接元件通过这些第一介电区而与导热区电绝缘。 | ||
搜索关键词: | 芯片 结构 | ||
【主权项】:
1.一种多芯片结构,其至少包括:第一芯片,具有第一表面及多个第一衬垫,其中该多个第一衬垫配置于该第一表面上;第二芯片,具有第二表面及多个第二衬垫,其中该多个第二衬垫配置于该第二表面上,而该第二表面朝向该第一表面;以及第一导热层,介于该第一芯片及该第二芯片之间,其中第一导热层具有:导热区;多个第一电连接元件,其中该第一电连接元件设于该第一导热层内,且用于使该第一表面电连接至该第二表面;以及多个第一介电区,其中该多个第一介电区围绕该多个第一电连接元件,且该多个第一电连接元件通过该多个第一介电区而与该导热区电绝缘。
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