[发明专利]一种氧化铁单晶纳米线的制备方法无效
| 申请号： | 200610119552.X | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1995488A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 徐丰;郁可;朱自强;王青艳;石美荣 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/62;C01G49/06 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程宗德;石昭 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种氧化铁(Fe2O3)单晶纳米线的制备方法，属于光电子和半导体材料制备方法的技术领域。该方法以铁镍合金片作为反应物和衬底，以惰性气体Ar作为保护气体，在大气压强和600～1100℃的条件下，加热铁镍合金片，在其上生长氧化铁单晶纳米线，所述的纳米线的长度和直径分别为5～30μm和100nm～1μm。该方法有反应时间短、对载气的要求不高、方法简单、成本低、重复性好和能在铁镍合金片上大量生长氧化铁单晶纳米线的优点。该方法制备的氧化铁单晶纳米线特别适于作光催化剂或作制造传感器和光电换能器等的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铁 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化铁单晶纳米线的制备方法，其特征在于，以铁镍合金片作为反应物和衬底，具体工艺步骤：第一步清洗铁镍合金片用传统的超声清洗方法清洗铁镍合金片；第二步加热管式生长炉将水平放置的管式生长炉加热到600～1100℃，待用；第三步放置铁镍合金片将经第一步处理的铁镍合金片放入石英舟；第四步放置石英舟把石英舟放到经第二步加热的管式生长炉的中部；第五步通入载气将载气，惰性气体Ar通入管式生长炉，载气的流量为0.5L/min～3L/min，在大气压强和600～1100℃的条件下加热反应30～120min；第六步制得产品取出石英舟，生长在铁镍合金片上的铁红色物质就是产品，氧化铁单晶纳米线，所述的纳米线的长度和直径分别为5～30μm和100nm～1μm。
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