[发明专利]一种标准硅片制作方法有效
| 申请号： | 200610119550.0 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101202203A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 严博;方明海;陈淑美;吕秋玲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种标准硅片制作方法。现有的用以校验膜厚测试机台的标准硅片因校验层直接暴露在空气中易被污染致使其无法准确校验测试机台。本发明的标准硅片制作方法，首先在硅片基层上生成一校验层，接着在校验层上生长一层性质稳定且不与校验层发生反应的保护层。采用本发明的标准硅片制作方法制作的标准硅片稳定性大大提高，故可长期使用，避免了需经常更换标准硅片所造成的成本浪费，同时也提高了膜厚测试机台的可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 标准 硅片 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种标准硅片制作方法，其先在硅片基层上生成一校验层，其特征在于，所述方法还在校验层上生长一层性质稳定且不与校验层发生反应的的保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
