[发明专利]一种金属电容耦合OTP器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种金属电容耦合OTP器件及其制造方法，该器件除包括常规的存储器晶体管(10)、多晶硅栅(9)外，利用MIM电容(11)代替常规OTP结构中的晶体管电容，该MIM电容的下极板(7)与多晶硅栅通过接触孔(6)相连，作为存储器晶体管的浮栅；MIM电容的上电极(8)取代常规的MOS的有源区，作为浮栅的控制端。本发明由于利用现有工艺中MIM电容，通过版图设计与低压逻辑晶体管共同构成OTP器件，并且本发明可完全保持现有MIM工艺不变，不用追加任何额外工艺的条件下，实现结构简单、编程效果良好、可靠性高的嵌入式OTP器件。

主权项

1.一种金属电容耦合OTP器件，包括存储器晶体管、多晶硅栅，其特征在于，还包括MIM电容，且所述多晶硅栅通过接触孔与所述MIM电容的下极板相连，作为所述存储器晶体管的浮栅；所述MIM电容的上电极作为所述浮栅的控制端。