[发明专利]半导体无像元远红外上转换成像装置制造方法无效
| 申请号： | 200610117889.7 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1945859A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 沈文忠;武乐可 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;张宗明 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体光电探测技术领域的半导体无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定探测器类型为探测中心波长在60微米的同质结内光发射远红外探测器，发光二极管类型为发射光波长在硅电荷耦合器件响应波长范围内的近红外发光二极管；(2)利用频谱分析方法分别对探测器及发光二极管列出连续性方程，通过求解连续性方程得到上转换成像效率及调制传递函数，通过考察上转换成像效率及成像性能，得到优化的器件结构；(3)用分子束外延装置先生长远红外探测器结构，接着在探测器上生长近红外发光二极管结构，得到半导体远红外无像元上转换成像装置。本发明大大降低了探测成像的成本，可实现更长波长光的上转换成像。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 无像元远 红外 转换 成像 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体无像元远红外上转换成像装置制造方法，其特征在于步骤如下：(1)确定需要生长的探测器和发光二极管的类型：探测器类型为探测中心波长在60微米的同质结内光发射远红外探测器，发光二极管类型为发射光波长在硅电荷耦合器件响应波长范围内的近红外发光二极管；(2)利用频谱分析方法分别对探测器及发光二极管列出连续性方程，通过求解连续性方程得到上转换成像效率及调制传递函数，通过考察上转换成像效率及成像性能，得到优化的器件结构；(3)用分子束外延装置先生长远红外探测器结构，接着在探测器上生长近红外发光二极管结构，得到集成的半导体远红外无像元上转换成像装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610117889.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
