[发明专利]用于CMOS静电放电保护的可控硅结构

摘要

本发明公开了一种用于CMOS静电放电保护的可控硅结构，其可以双向导通，并具有双向回扫特性。本发明所提供的结构是在P型衬底上纵向设置深N阱，在深N阱上沿横向依次平行设置第二N阱、第二P阱、第一N阱、第一P阱、第二N阱，在第二P阱和第一P阱中沿横向分别平行设置P+区和N+区，其中，P+区靠近第二N阱，N+区靠近第一N阱，各P+区和N+区之间以场氧分隔。本发明不仅弥补了传统SCR结构只具有单向的回扫特性的缺点，而且同时满足了集成度的需求。

主权项

1.一种用于CMOS静电放电保护的可控硅结构，其特征是：在P型衬底上沿纵向设置深N阱，在深N阱上沿横向依次平行设置第二N阱、第二P阱、第一N阱、第一P阱、第二N阱；在第二P阱和第一P阱中沿横向分别平行设置P+区和N+区，其中，P+区靠近第二N阱，N+区靠近第一N阱，各P+区和N+区之间以场氧分隔。