[发明专利]刻蚀设备组件的清洗方法无效
| 申请号： | 200610116905.0 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154558A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 戴祺山;段昧存;朱立顶;肖建民 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;C23F4/00;B08B3/08;B08B3/02;B08B3/12;C23G1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种刻蚀设备组件的清洗方法，包括步骤：将待清洗的刻蚀设备组件浸入丙酮溶液中；用去离子水冲洗所述组件；将所述组件放入烘箱中进行烘烤。本发明的清洗方法采用对组件没有损伤的丙酮溶液对设备组件进行清洗，一方面延长了设备的使用寿命，另一方面也有利于生产的稳定进行，可以省去正式生产前的预生产恢复步骤，提高了设备的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 设备 组件 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀设备组件的清洗方法，其特征在于，包括步骤：将待清洗的刻蚀设备组件浸入丙酮溶液中；用去离子水冲洗所述组件；将所述组件放入烘箱中进行烘烤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
