[发明专利]等离子体增强化学气相淀积方法有效
| 申请号： | 200610116842.9 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101153385A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 孙海兵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/448;C23C16/52;H01L21/205;H01L21/365 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种等离子体增强化学气相淀积方法，所述等离子体增强化学气相淀积过程包含淀积和原位清洁步骤，所述淀积气体包括反应气体及辅助气体，所述辅助气体具有标准流量值；所述淀积气体通过第一气体通道通入反应室，所述原位清洁气体通过第二气体通道通入反应室；由所述第一气体通道通入反应气体及具有第一流量值的辅助气体；同时由所述第二气体通道通入具有第二流量值的辅助气体。采用本发明方法，抑制了反应物微粒的生成，进而减少了微粒缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 化学 气相淀积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体增强化学气相淀积方法，所述等离子体增强化学气相淀积过程包含淀积和原位清洁步骤，所述淀积气体包括反应气体及辅助气体，所述辅助气体具有标准流量值；所述淀积气体通过第一气体通道通入反应室，所述原位清洁气体通过第二气体通道通入反应室；其特征在于：由所述第一气体通道通入反应气体及具有第一流量值的辅助气体；同时由所述第二气体通道通入具有第二流量值的辅助气体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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