[发明专利]采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管无效
| 申请号： | 200610113820.7 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101165940A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 秦大山;曹国华;曹俊松;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管，包括：一衬底；一个正极，该正极沉积在衬底上，用于注入空穴；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层沉积在正极上，用于接受从正极注入的空穴；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在有机空穴注入层上，用于接受并传输来自有机空穴注入层的空穴；一有机发光层，该有机发光层沉积在有机空穴传输层上，用于发光；一有机电子注入层，该有机电子注入层沉积在有机发光层上，用于向有机发光层传输电子；一阴极，该阴极沉积在有机电子注入层上，用于注入电子。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 微量 金属 掺杂 有机 受体 薄膜 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管，其特征在于，包括：一衬底；一个正极，该正极沉积在衬底上，用于注入空穴；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层沉积在正极上，用于接受从正极注入的空穴；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在有机空穴注入层上，用于接受并传输来自有机空穴注入层的空穴；一有机发光层，该有机发光层沉积在有机空穴传输层上，用于发光；一有机电子注入层，该有机电子注入层沉积在有机发光层上，用于向有机发光层传输电子；一阴极，该阴极沉积在有机电子注入层上，用于注入电子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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