[发明专利]具有栅极间插件的闪存器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610110188.0 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1893087A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 李允峰 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件，包括：第一和第二单元栅极，形成在单元区域内；第一和第二外围栅极，形成在外围区域内；以及栅极间插件，位于第一和第二单元栅极之间。该栅极间插件包括第一绝缘层、形成在第一绝缘层上的第二导电层，以及形成在第二导电层上的第三绝缘层。通过形成栅极间插件和间隔，从而降低阈值电压Vt变化。本发明还提供一种制造闪存器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 插件 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储器件，包括：第一和第二单元栅极，形成在单元区域内部；第一和第二外围栅极，形成在外围区域内部；以及栅极间插件，位于所述第一和第二单元栅极之间，该栅极间插件包括第一绝缘层、形成在所述第一绝缘层上的第二导电层、以及形成在所述第二导电层上的第三绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
