[发明专利]形成含硅的绝缘膜的方法和装置

摘要

这本发明提供一种成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体；含有选自氮化气体、氧氮化气体和氧化气体中的气体的第二处理气体；和吹扫气体的处理区域内，利用CVD，在被处理基板上形成含有硅的绝缘膜，其交互地具有第一～第四工序。在第一、第二、第三和第四工序中，分别供给第一处理气体、吹扫气体、第二处理气体以及吹扫气体，停止剩下的两种气体的供给。在第一工序至第四工序，通过配置开度调整用阀的排气通路继续给处理区域内真空排气。将第一工序的阀开度设定为第二和第四工序的阀开度的5～95％。

主权项

1.一种成膜方法，其特征在于：其是在能够有选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体；含有选自氮化气体、氧氮化气体和氧化气体中的气体的第二处理气体；和吹扫气体的处理区域内，利用CVD，在被处理基板上形成含有硅的绝缘膜的成膜方法，其交替地包括：向所述处理区域供给所述第一处理气体，另一方面，停止向所述处理区域供给所述第二处理气体和吹扫气体的第一工序；向所述处理区域供给所述吹扫气体，另一方面，停止向所述处理区域供给所述第一和第二处理气体的第二工序；向所述处理区域供给所述第二处理气体，另一方面，停止向所述处理区域供给所述第一处理气体和吹扫气体的第三工序；向所述处理区域供给所述吹扫气体，另一方面，停止向所述处理区域供给所述第一和第二处理气体的第四工序，其中，在从所述第一工序至所述第四工序中，通过配置有开度调整用的阀的排气通路，连续对所述处理区域内进行真空排气，将所述第一工序的所述阀的开度设定为所述第二和第四工序的所述阀的开度的5～95％。