[发明专利]闪存器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件，包括半导体衬底，其具有单元区域和外围区域。单元阵列定义在所述单元区域内，该单元阵列具有第一、第二、第三和第四侧。第一译码器定义在所述外围区域内并与所述单元阵列的所述第一侧相邻设置。第一隔离结构形成在设置于所述单元阵列的所述第一侧与所述外围区域之间的第一边界区域处。第一虚设有源区域形成在设置于所述单元阵列的所述第二侧与所述外围区域之间的第二边界区域处。第一隔离结构包括具有第一深度的第一部分和具有第二深度的第二部分。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有单元区域和外围区域；单元阵列，定义在所述单元区域内，该单元阵列具有第一、第二、第三和第四侧；第一译码器，定义在所述外围区域内并与所述单元阵列的所述第一侧相邻设置；第一隔离结构，形成在设置于所述单元阵列的所述第一侧与所述外围区域之间的第一边界区域处；以及第一虚设有源区域，形成在设置于所述单元阵列的所述第二侧与所述外围区域之间的第二边界区域处。