[发明专利]与非型多位非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610108013.6 | 申请日： | 2006-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1988160A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 朴允童;金元柱 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/522;H01L21/8247;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 魏晓刚;李晓舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种NAND型多位非易失性存储器件。该存储器件包括：半导体衬底，其包括体和突出在所述体之上的至少一对鳍；第一绝缘层，其形成在所述成对的鳍之间在所述体上；多个控制栅极电极，其跨过所述第一绝缘层和所述鳍延伸并部分覆盖所述鳍的外壁的上部分；以及多个存储节点，其置于所述控制栅极电极与所述鳍之间并与所述半导体衬底绝缘。所述控制栅极电极顺序成对为两个的组，并且分别包括在相邻对中的相邻控制栅极电极之间的第一距离大于每对的所述控制栅极电极之间的第二距离。 | ||
| 搜索关键词： | 非型多位 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种NAND型多位非易失性存储器件，包括：半导体衬底，其包括体和突出在所述体之上的至少一对鳍；第一绝缘层，其形成在所述成对的鳍之间在所述体上；多个控制栅极电极，其跨过所述第一绝缘层和所述鳍延伸并部分覆盖所述鳍的外壁的上部分，所述控制栅极电极与所述半导体衬底绝缘；以及多个存储节点，其置于所述控制栅极电极与所述鳍之间并与所述半导体衬底绝缘，其中所述控制栅极电极顺序成对为两个的组，并且分别包括在相邻对中的相邻控制栅极电极之间的第一距离大于每对的所述控制栅极电极之间的第二距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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