[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200610105640.4 | 申请日： | 2006-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1901164A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 饭田伊豆雄 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，其包括：在半导体衬底(1)上形成绝缘膜(元件分离膜及绝缘膜)的工序；在所述绝缘膜上形成多晶硅膜(3)的工序；在所述多晶硅膜的整个面上注入第一杂质的工序；对所述多晶硅膜构图而形成栅极电极(3B)及电阻层(3A)的工序；在将所述电阻层之上遮盖的状态下，在整个面上注入第二杂质，与所述栅极电极相邻而形成源极漏极区域(6)的工序；在所述栅极电极的侧壁部形成侧壁绝缘膜(7)的工序；在将所述电阻层遮盖的状态下，在整个面上注入第三杂质，与所述栅极电极及侧壁绝缘膜相邻而形成高浓度的源极漏极区域(9)的工序；在所述电阻层的接触部、所述栅极电极以及所述源极漏极区域(8)上形成硅化物膜(10)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成多晶硅膜的工序；在所述多晶硅膜的整个面上注入第一杂质的工序；对所述多晶硅膜构图而形成栅极电极及电阻层的工序；在将所述电阻层之上遮盖的状态下，在整个面上注入第二杂质，与所述栅极电极相邻而形成源极漏极区域的工序；在所述电阻层的接触部、所述栅极电极以及所述源极漏极区域上形成硅化物膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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