[发明专利]具有增大的沟道面积及减小的漏电流的半导体元件无效
| 申请号： | 200610105633.4 | 申请日： | 2006-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101043050A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 郑星雄;李相敦 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02;H01L21/336;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一个有源区域、一个包括垂直的沟道结构的凹形沟道区域、栅极绝缘膜、以及栅极结构。该有源区域通过形成在半导体基板中的元件隔离结构而被界定。该凹形沟道区域形成在该有源区域中。垂直的绝缘层上覆硅(SOI)沟道结构设置在一个栅极区域的纵长方向上的两个元件隔离结构的侧壁处。该栅极绝缘膜被设置在该包括凹形沟道区域的有源区域之上。该栅极结构被设置在该栅极区域的凹形沟道区域之上。所述垂直的SOI沟道结构在栅极区域的纵向上被设置在栅极之下的两个元件隔离结构的侧壁处，由此增加该元件的沟道面积且减少其漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增大 沟道 面积 减小 漏电 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：元件隔离结构，其形成在半导体基板中以界定有源区域；凹形沟道区域，其包括垂直的绝缘层上覆硅沟道结构且形成在所述有源区域中，其中所述垂直的绝缘层上覆硅沟道结构在栅极区域的纵向上被设置在两个元件隔离结构的侧壁处；以及栅极结构，其被设置在所述栅极区域的凹形沟道区域之上。
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