[发明专利]光刻胶去除剂组合物以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法有效
| 申请号： | 200610103511.1 | 申请日： | 2006-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1904742A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 朴弘植;金时烈;郑钟铉;申原硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种光刻胶去除剂组合物、以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法。该光刻胶去除剂组合物包括约50WT％至约70WT％的二乙二醇丁醚、约20WT％至约40WT％的烷基吡咯烷酮、约1WT％至约10WT％的有机胺化合物、约1WT％至约5WT％的氨基丙基吗啉、以及约0.01WT％至约0.5WT％的巯基化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 组合 以及 形成 布线 结构 制造 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶去除剂组合物，包括。浓度在约50WT％至约70WT％之间的二乙二醇丁醚；浓度在约20WT％至约40WT％之间的烷基吡咯烷酮；浓度在约1WT％至约10WT％之间的有机胺化合物；浓度在约1WT％至约5WT％之间的氨基丙基吗啉；以及浓度在约0.01WT％至约0.5WT％之间的巯基化合物。
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