[发明专利]用激光束照射半导体层的激光加工装置无效
申请号: | 200610101655.3 | 申请日: | 1993-06-26 |
公开(公告)号: | CN1921069A | 公开(公告)日: | 2007-02-28 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;张宏勇;石原浩朗 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/268 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘宗杰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种用激光束照射半导体层的激光加工装置,其特征在于,它包括:一个激光器,用于发射具有截面的激光束;扩展器件,用于只在截面的长度方向扩展激光束,其中激光束在长度方向的光强分布同时为所述扩展器件所均匀化,所述扩展器件至少有一个柱面透镜阵列和一个只在长度方向会聚激光束的凸透镜;支撑器件,用于支撑用扩展过的激光束处理的衬底;移动器件,用于在扩展过的激光束截面的宽度方向移动所述衬底。 | ||
搜索关键词: | 激光束 照射 半导体 激光 加工 装置 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包括下列步骤:在玻璃衬底上布置多个半导体岛;将离子掺杂质注入半导体岛;将在一个方向拉长的脉冲式准分子激光光束对准所述玻璃衬底;以和所述脉冲式准分子激光光束的拉长方向正交的方向移动所述玻璃衬底,由此利用所述脉冲式准分子激光光束照射所述半导体岛。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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