[发明专利]用于光刻胶的阻挡涂敷组合物及使用该组合物形成光刻胶图形的方法无效
| 申请号： | 200610101176.1 | 申请日： | 2006-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN1912745A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 崔相俊;畑光宏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20;G03F7/26;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了阻挡聚合物、引入这种聚合物的阻挡涂敷组合物以及利用这种阻挡涂敷组合物抑制浸渍光刻过程中光刻胶成分溶解的方法。该阻挡聚合物可以由包括至少一个单体的一种或多种单体合成，该单体具有三(三甲基硅氧烷基)甲硅烷基以及将具有5,000至200,000道尔顿的重量平均分子量(Mw)。该阻挡聚合物可以与一种或多种有机溶剂结合，以形成可以被涂敷到光刻胶层的阻挡涂敷组合物，从而形成在曝光处理过程中充分地抑制成分如PAG溶解到浸渍介质中的阻挡涂层。该三(三甲基硅氧烷基)甲硅烷基单体可以与其他单体结合，具体，包括一个极性基团的单体，用于改进，例如，所得阻挡涂层在显影液中的疏水性和/或可溶性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光刻 阻挡 组合 使用 形成 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻挡涂敷组合物，包括：引入大量三(三甲基硅氧烷基)甲硅烷基单体和具有5,000至200,000道尔顿的重量平均分子量(Mw)的聚合物；以及一种有机溶剂。
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