[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器中低功耗的模数转换器有效
| 申请号： | 200610100959.8 | 申请日： | 2006-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1909379A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 李明洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H03M1/12 | 分类号： | H03M1/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;李晓舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 模数转换器包括比较器、锁存器和偏压控制单元。所述比较器由施加的偏压启动，用于比较模拟电压和斜坡电压。所述锁存器在如所述比较器所指示的斜坡电压变得大于模拟电压时激活结束信号。所述偏压控制单元在所述结束信号被激活时从所述比较器断开所述偏压以减少功率消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 功耗 转换器 | ||
【主权项】：
1.一种模数转换器，包括：比较器，其由施加的偏压启动用于比较模拟电压和斜坡电压；锁存器，其在斜坡电压变得大于模拟电压时激活结束信号；和偏压控制单元，其在所述结束信号被激活时从所述比较器断开所述偏压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610100959.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
