[发明专利]具有多层互连的半导体器件无效
| 申请号： | 200610099688.9 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1893068A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 松原义久 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，具有能够防止因通过通路连接的如下微互连中产生的互连后退而引起的断路的构造，其中所述微互连具有等于或小于0.1μm的线宽。绝缘膜(204)形成在硅衬底(203)上，M1互连(103)和M2互连(104)交替布置在该区域中，并且这些互连通过通路(105)连接。这里，M1互连(103)和M2互连(104)的宽度都是70nm的最小线宽。在这种结构中，通路(105)的宽度与M1互连(103)和M2互连(104)的最小线宽相同，并且M1互连(103)和M2互连(104)通过多个通路(105)共同连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 互连 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：多个宏电路，每个所述宏电路包括互连；以及耦合区，用于耦合所述多个宏电路的互连的端部，其中所述耦合区包括具有相同线宽的两层或多层所述互连，并且所述互连的端部通过多个通路连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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