[发明专利]半导体存储器件的修复电路有效
| 申请号： | 200610099343.3 | 申请日： | 2006-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1949396A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 朴荣洙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及一种半导体存储器件的修复电路。所述修复电路包括：地址计数器，响应写使能信号或读使能信号来顺序地生成第一列地址信号和第二列地址信号；修复控制器，响应第一列地址信号、地址锁存使能信号、命令使能信号和写使能信号，早于第二列地址信号地生成修复列地址信号；以及修复置乱部件，响应修复I/O控制信号和修复列地址信号来选择修复单元。如果出现了必须在其上执行修复操作的地址，修复控制器直接接收写使能信号或读使能信号，并且早于使用先前地址的一般单元来激活所述修复控制器，由此弥补了在修复控制器中所消耗的操作时间。因此，修复单元的操作速度可变得快于一般单元的操作速度并且器件的操作速度可因而得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 修复 电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件的修复电路，包括：地址计数器，响应写使能信号或读使能信号来顺序地生成第一列地址信号和第二列地址信号；修复控制器，响应所述第一列地址信号、地址锁存使能信号、命令使能信号和写使能信号来生成早于第二列地址信号的修复列地址信号；以及修复置乱部件，响应修复控制信号和所述修复列地址信号来选择修复单元。
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