[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 200610095901.9 | 申请日: | 2000-08-30 |
公开(公告)号: | CN1979877A | 公开(公告)日: | 2007-06-13 |
发明(设计)人: | 柴田宽;矶部敦生 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768;G03B21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 陈景峻 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 通过保证充足存储电容值(Cs)时获得较高孔径率,同时通过以适时方式分散电容器引线的负载(象素写入电流)以有效地减少负载,从而提供一种液晶显示装置。扫描线形成在与栅电极不同的层面上,电容器布置成与信号线平行。每个象素通过电介质与各自独立的电容器引线连接。这样,可避免由相邻象素的写入电流产生的电容器引线的电势变化,进而获得了满意的显示图象。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种包括一个像素部分的显示器件,所述像素部分包括:在一个衬底上形成的一条扫描线;形成在所述扫描线上的一层半导体膜,其中所述半导体膜包括一个源区,一个漏区,一个沟道形成区,和作为存储电容器的一个较低电极的区域;形成在所述沟道形成区上的一个栅极电极;形成在所述较低电极之上的所述存储电容器的一个较高电极;以及形成在所述栅极电极和所述较高电极上的一条信号线,其中所述较低电极具有与所述信号线平行并覆盖所述信号线的第一部分,并具有与所述扫描线平行并覆盖所述扫描线的第二部分,以及其中所述较高电极具有与所述信号线平行并覆盖所述信号线的第三部分,并具有与所述扫描线平行并覆盖所述扫描线的第四部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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