[发明专利]半导体晶片的处理方法及晶边残余物去除系统有效
| 申请号： | 200610095874.5 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1892445A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 张庆裕;柯建州;游大庆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶片的处理方法及晶边残余物去除系统。该晶边残余物去除系统与湿浸式光刻工艺一起使用，包括：多转速马达，用以旋转晶片吸盘，该马达可使该吸盘保持在第一转速大于1500rpm，第二转速约介于1500rpm和1000rpm之间，以及第三转速小于1000rpm；以及第一喷嘴，配置于该吸盘上，靠近该吸盘上的晶片边缘，该第一喷嘴用以喷洒溶剂。本发明的所述的半导体晶片的处理方法及晶边残余物去除系统避免了因光致刻蚀剂残留物与浸入曝光液和透镜接触而污染曝光液和透镜，也避免了光致刻蚀剂在曝光过程中被污染，并且减少了晶片上形成的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 处理 方法 残余物 去除 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片的处理方法，包括：在半导体晶片上形成光敏感层，以进行湿浸式光刻工艺；进行晶边残余物去除程序，其中包括以大于1500rpm的第一转速旋转该半导体晶片时，在第一距离处喷洒第一液体到该半导体晶片的正面边缘；旋干该半导体晶片；在旋干该半导体晶片的步骤之后，烘烤该半导体晶片；在烘烤该半导体晶片的步骤之后，曝光该光敏感层；曝光后烘烤该光敏感层；以及在曝光后烘烤该光敏感层的步骤之后，显影该光敏感层。
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