[发明专利]半导体集成电路器件无效
| 申请号： | 200610095799.2 | 申请日： | 1998-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1901369A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 田中一雄;水野弘之;西山利惠;宫本学 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社 |
| 主分类号： | H03K3/356 | 分类号： | H03K3/356;H03K19/0185;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路器件，包括：具有第一电位的第一电位点；具有第二电位的第二电位点；上拉电平转换电路，以及用于限定流过上拉电平转换电路的电流的电流源。所述上拉电平转换电路包括：用于接收互补输入信号、源极连接到所述第二电位点的第一种导电类型的第一和第二场效应晶体管，以及第二种导电类型的第三和第四场效应晶体管，该第三场效应晶体管的源极连接到所述第一电位点、漏极连接到所述第一场效应晶体管的漏极、栅极连接到所述第二场效应晶体管的漏极；所述第四场效应晶体管的源极连接到所述第一电位点、漏极连接到所述第二场效应晶体管的漏极、栅极连接到所述第一场效应晶体管的漏极，以及用于限定流过上拉电平转换电路的电流的电流源。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件，包括：具有第一电位的第一电位点；具有第二电位的第二电位点；上拉电平转换电路，包括：用于接收互补输入信号的第一种导电类型的第一和第二场效应晶体管，所述第一和第二场效应晶体管的源极连接到所述第二电位点，以及第二种导电类型的第三和第四场效应晶体管，所述第三场效应晶体管的源极连接到所述第一电位点、漏极连接到所述第一场效应晶体管的漏极、栅极连接到所述第二场效应晶体管的漏极；所述第四场效应晶体管的源极连接到所述第一电位点、漏极连接到所述第二场效应晶体管的漏极、栅极连接到所述第一场效应晶体管的漏极，以及用于限定流过所述上拉电平转换电路的电流的电流源。
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