[发明专利]与非闪存器及其制造方法有效
| 申请号： | 200610094179.7 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1893086A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 严在哲;金南经;金世埈 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种与非(NAND)闪存器及其制造方法。源和漏选择晶体管栅极凹进低于半导体衬底的有源区。所述源和漏选择晶体管栅极的有效沟道长度长于存储单元栅极的沟道长度。因此，可以减少所述选择晶体管的源区和漏区之间的电场。因此可能防止在邻近非选(non－selected)单元串中的源和漏选择晶体管的边缘存储单元中发生程序干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种与非闪存器，包括：漏和源选择晶体管栅极，每个栅极具有在半导体衬底的有源区下面延伸的部分；和存储单元栅极，形成在所述源选择晶体管栅极和漏选择晶体管栅极之间的有源区上，其中沿所述凹入的源和漏选择晶体管栅极纵向的沟道长度大于存储单元栅极的沟道长度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
