[发明专利]相变存储器元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610094044.0 | 申请日： | 2006-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101093872A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 卓言;曾明豪 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器元件。第一柱状电极和第二柱状电极沿水平方向排列。图形化相变层位于第一柱状电极和第二柱状电极之间，且电连接第一柱状电极和第二柱状电极，其中整体图形化相变层位于一平面结构上。下电极电连接第一柱状电极，及上电极电连接第二柱状电极。本发明的图形化相变层形成于水平面上，因此，图形化相变层整体为一平面，与传统形成于沟槽的相变层相比电流路径较短，且缺陷较少。另外，相变层和电极的接触区域由图形化相变层的厚度决定，可突破曝光极限尺寸。另外，本发明工艺步骤的光掩模数和光刻步骤数与现有的水平相变存储器相比少，工艺较简单。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种相变存储器元件，包括：沿水平方向排列的第一柱状电极和第二柱状电极；相变层，位于所述第一柱状电极和所述第二柱状电极之间，且电连接所述第一柱状电极和所述第二柱状电极，其中整体相变层位于平面结构上；下电极，电连接所述第一柱状电极；及上电极，电连接所述第二柱状电极。
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