[发明专利]用于非易失性半导体存储器件的基准方案

摘要

提供一种包括存储区和电路区的非易失性半导体存储器件。存储区包括多个存储单元和一组阵列基准单元，其中该组阵列基准单元可编程为具有对应于存储单元的已擦除或者已编程状态的阈值电压。在电路区中，提供附加的主基准单元，其被配置为也具有对应于存储单元的已擦除或者已编程状态的阈值电压。主基准单元被用于所述阵列基准单元的设定，并且所述阵列基准单元被提供作为读或者写所述存储单元的状态的基准。也提供一种用于将非易失性半导体存储器件中的阵列基准单元设定为预定的阈值电压的方法。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器件，包括：存储区和电路区，其中所述存储区包括：多个被布置在存储阵列中的存储单元；和一组可编程阵列基准单元，所述可编程阵列基准单元被设置作为读取所述存储单元的基准，并且其中所述电路区包括：一组主基准单元，所述主基准单元被设置作为验证所述阵列基准单元或者所述存储单元的状态的基准。