[发明专利]铟镓氮外延薄膜及生长方法和在太阳能电池的应用无效
| 申请号： | 200610088287.3 | 申请日： | 2006-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1885494A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 谢自力;张荣;刘斌;韩平;修向前;文博;刘成祥;赵红;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L31/0304;H01L31/036;H01L33/00;C30B29/40;C30B25/02 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 高结晶铟镓氮单晶外延膜，在蓝宝石衬底先设有GaN缓冲层，且为20－200nm的低温GaN缓冲层；然后生长厚度可达到1－80μm的高结晶的InxGa1－x (0≤x≤1)材料。高结晶铟镓氮单晶外延膜的生长方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－200nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InxGa1－xN材料；接着在GaN缓冲层上以500－1050℃生长高质量InxGa1－xN材料；生长压力在0－700Torr，尤其控制在300－700Torr；其中0≤X≤1材料厚度1μm以上。太阳能电池采用材料In0..3Ga0.7N薄膜，电极采用MSM结构。 | ||
| 搜索关键词： | 铟镓氮 外延 薄膜 生长 方法 太阳能电池 应用 | ||
【主权项】：
1、高结晶铟镓氮单晶外延膜，其特征是在蓝宝石衬底先设有GaN缓冲层，且为20-200nm的低温GaN缓冲层；然后生长厚度可达到1-80μm的高结晶的InxGa1-x(0≤x≤1)材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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