[发明专利]半导体层结构及制造半导体层结构的方法无效
| 申请号： | 200610084528.7 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1892984A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 布里安·墨非;迈克·黑伯伦;约尔格·林德纳 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体层结构，其包含硅晶片上的单晶碳化硅层，该硅晶片的直径至少为150毫米，其中该碳化硅层的表面粗糙度最高为0.5nm RMS，微管密度最高为1cm－2，此外不含晶体生长或外延沉积期间产生的任何缺陷。此外，本发明还涉及制造半导体层结构的方法，其中将碳离子注入硅晶片的一定深度内，然后热处理该硅晶片，从而在该硅晶片内形成掩埋的单晶碳化硅层以及位于该碳化硅层上方及下方的非晶过渡区域，然后去除上方的硅层以及位于该单晶碳化硅层上方的非晶过渡区域，从而使该单晶碳化硅层暴露出来，随后对该暴露的单晶碳化硅层表面实施化学机械平坦化处理，直至表面粗糙度低于0.5nmRMS。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、半导体层结构，其包含硅晶片上的单晶碳化硅层，该硅晶片的直径至少为150毫米，其中该碳化硅层的表面粗糙度最高为0.5nm RMS，微管密度最高为1cm-2，此外不含晶体生长或外延沉积期间产生的任何缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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