[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 200610077372.X 申请日: 2006-04-29
公开(公告)号: CN1905167A 公开(公告)日: 2007-01-31
发明(设计)人: 武政宪吾 申请(专利权)人: 冲电气工业株式会社
主分类号: H01L23/10 分类号: H01L23/10;H01L41/08;H01L41/053;G01P15/00;G01P15/09
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供即使热或应力传导到封装、也能够进行稳定的工作的半导体器件。本发明的半导体加速度传感器器件(1),具有:内部具有空腔(21c)、由下部容器(21)和上部盖(25)构成的封装,半导体加速度传感器芯片(10),在上表面的芯片搭载区域(32a)上固定有半导体加速度传感器芯片(10)的衬垫(32),以及粘接衬垫(32)的下表面的、芯片搭载区域(32a)下方以外的区域和空腔(21c)的底面(21a)的粘接部(33)。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,具备:内部具有空腔的封装,具有规定的元件的半导体芯片,在上表面的规定区域固定有上述半导体芯片的板状部件,以及,将上述板状部件的下表面的所述规定区域的下方以外的区域、和上述空腔的壁面粘接的粘接部。
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