[发明专利]形成具有倾角导电层的方法有效
| 申请号： | 200610073266.4 | 申请日： | 2006-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1851883A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 来汉中 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/28;H01L21/768;C23F1/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种形成具有倾角导电层的方法，利用较低的蚀刻温度约25℃～40℃的蚀刻液，或是温度不同的蚀刻液(例如：35℃～30℃/30℃～25℃)，对于基板上的单一导电层或多层结构的导电层进行湿法蚀刻，以获得适当的导电层倾角。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 倾角 导电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成具有倾角导电层的方法，包括：(a)提供导电层于基板上；及(b)以第一蚀刻液蚀刻该导电层，以形成第一倾角；其中，该第一蚀刻液的蚀刻温度为约25℃～40℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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