[发明专利]等离子体焰流生长大尺寸氮化铝晶体的方法无效
| 申请号： | 200610071292.3 | 申请日： | 2006-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101050545A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 敬守勇;郑瑞生;刘文;段子刚 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C30B23/08 | 分类号： | C30B23/08;C30B25/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518060广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种采用等离子焰流加热原材料生长氮化铝单晶体的方法，包括如下步骤：采用等离子体焰流作为加热源，原材料使用氮化铝微粉或高纯铝微粉和氮气，并通过载气送入，下粉速率可以调整和控制，使用氮化铝单晶体作为晶种或使用氮化铝多晶体作为自发成核生长的基底材料，晶种或基底托台具有可控制速率的升降和旋转功能，晶种或基底通过焰流热场加热或其它方式加热至晶体结晶所需温度，生长室内采用氮气作为生长环境气体并且压力可以调整和控制。本发明给出了等离子焰流生长氮化铝晶体的原理性实验装置示意图。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 生长 尺寸 氮化 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种采用等离子焰流加热原材料生长氮化铝单晶体的方法和技术，包括：采用等离子体焰流作为加热源，原材料使用氮化铝微粉或高纯铝微粉和氮气，并通过载气送入，下粉速率可以调整和控制，使用氮化铝单晶体作为晶种或使用氮化铝多晶体作为自发成核生长的基底材料，晶种或基底托台具有可控制速率的升降和旋转功能，晶种或基底通过焰流热场加热或其它方式加热至晶体结晶所需温度，生长室内采用氮气作为生长环境气体并且压力可以调整和控制。
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