[发明专利]自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路无效
| 申请号： | 200610071020.3 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1841768A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 齐藤好昭;杉山英行;井口智明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路。该自旋注入场效应晶体管包括：磁化方向被固定的第1铁磁性体；磁化方向被自旋注入电流改变的第2铁磁性体；位于上述第1铁磁性体和第2铁磁性体之间的沟道；在上述沟道上隔着栅绝缘层形成的栅电极；控制自旋注入电流的取向以确定上述第二铁磁性体的磁化方向的第1驱动器/汇流器，上述自旋注入电流流过上述沟道；流过辅助电流的导电线，该辅助电流在上述第2铁磁性体的易磁化轴方向上产生磁场；以及控制流过上述导电线的辅助电流的取向的第2驱动器/汇流器。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 注入 场效应 晶体管 随机存取存储器 可重构 逻辑电路 | ||
【主权项】：
1.一种自旋注入场效应晶体管，包括：磁化方向被固定的第1铁磁性体；磁化方向被自旋注入电流改变的第2铁磁性体；位于上述第1和第2铁磁性体之间的沟道；在上述沟道上隔着栅绝缘层形成的栅电极；以及控制自旋注入电流的取向以确定上述第2铁磁性体的磁化方向的第1驱动器/汇流器，上述自旋注入电流流过上述沟道。
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