[发明专利]自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路无效
| 申请号： | 200610071020.3 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1841768A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 齐藤好昭;杉山英行;井口智明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自旋 注入 场效应 晶体管 随机存取存储器 可重构 逻辑电路 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610071020.3/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
