[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610067355.8 | 申请日： | 2006-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1841774A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 韩祯希;金柱亨;金桢雨;田尚勋;郑渊硕;李承铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种适用于形成在半导体衬底上的非易失性存储器件的制造方法和所得到的结构的示范性实施例。栅极结构的示范性实施例包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上用于储存电荷的储存节点，形成在储存节点上的第二绝缘膜，形成在第二绝缘膜上的第三绝缘膜，和形成在第三绝缘膜上的栅电极。选择绝缘膜使得第二和第三绝缘膜之一或两者的介电常数大于第一绝缘膜的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储器件，具有形成在衬底上的栅极结构，该栅极结构包含：形成在所述半导体衬底上的第一绝缘膜，具有第一介电常数κ1和能带间隙Dbg1；形成在所述第一绝缘膜上的储存节点膜，具有带隙Sbg；形成在所述储存节点膜上的第二绝缘膜，具有第二介电常数κ2和能带间隙Dbg2；形成在所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜，具有第三介电常数κ3和能带间隙Dbg3；和形成在所述第三绝缘膜上的栅电极，其中至少满足表达式κ2＞κ1和κ3＞κ1之一。
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