[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610063940.0 | 申请日： | 2006-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1983632A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 李孟烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括半导体衬底的金属氧化物半导体晶体管，所述衬底包括邻近衬底表面的源区和漏区以及源区和漏区之间的漂移区。所述漂移区具有一杂质浓度分布使得所述漂移区的峰值杂质浓度从衬底表面转移。漂移区的峰值杂质浓度可提供在漂移区中的后退区中，该后退区在衬底表面下面且通过预定的距离与之分开。还讨论了相关制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管，包括：半导体衬底，包括邻近所述衬底的表面的源区和漏区、以及所述源区和所述漏区之间的漂移区，所述漂移区具有使得所述漂移区的峰值杂质浓度从所述衬底的所述表面转移的杂质浓度分布。
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